HLD係列（liè）立式磁（cí）控鍍（dù）膜生產線

★該（gāi）立式磁控鍍膜生產線可鍍的工藝膜係有：金膜、銀膜、鋁膜、鈦金膜（mó）、不鏽鋼膜等單質膜和氧化膜、複合（hé）膜、增透膜、增（zēng）亮膜、光學膜、ITO導電膜、EMI屏蔽（bì）膜等等。設備（bèi）能生產的產品有銀鏡、鋁鏡（jìng）、彩色玻（bō）璃、工藝玻璃、光伏（fú）玻璃、光電玻璃、ITO導（dǎo）電玻璃（lí）、非導玻璃等，以及PC、PVC、PET等材料表麵鍍AR、AF、ITO、非導等膜和金屬單質膜等工藝。設備主要應用在手機鏡片和手機後（hòu）蓋鍍膜、電子、電器、軍工、家電、五（wǔ）金（jīn）、玩具、汽車、建築、建材、燈飾、裝（zhuāng）飾等眾多行業領域（yù）。本設備（bèi）的優點：抽速快及穩定、產量高、特殊的傳動結構運行平穩不卡頓（吸收進口設備精華）。高真空部分可根據（jù）客戶實際需要全選擇油擴散（sàn）泵或分子泵，或兩者搭配（pèi）使用；設計有防返油機構，減少對產品的汙染；使用（yòng）國內或國外知名品牌真空泵機組，加上人性化結（jié）構設計理念和智能控製及顯示係統，使設（shè）備盡善盡美。

★工藝氣體：氬氣、氧氣、氮氣等（děng），具體（tǐ）看生產的產品（pǐn）而定。

★靶材材質：金、銀、銅、鋁（lǚ）、鈦、鋯、矽、鎳、鉻、錫、銦、铌（ní）、不鏽鋼等或錫銦、矽鋁、鎳鉻等合金（jīn）。

★磁控濺射電源（yuán）：直（zhí）流電源、中頻電源、射頻電源、離子轟擊電源、離子源電源（按客（kè）戶需要而定）

★該立式（shì）磁控（kòng）鍍膜生產線的結構：有3室4鎖、5室4鎖、5室6鎖（suǒ）、7室6鎖、9室8鎖。

上片平移（yí）台（上（shàng）片）-----前粗抽室（進片室（shì）、帶轟擊、粗抽真空泵機（jī）組）-----前高真空室（精抽真空泵機組）-----前過（guò）渡室-----鍍膜室1、2、3（鍍膜室的個數按工藝而定，精抽真空泵機組、磁控濺射陰極靶、氣體係統）-----後過渡室-----後高真空（kōng）室（精（jīng）抽真（zhēn）空泵機組）-----後粗抽室（粗抽真空泵機組）-----下片平移台（下片台）-----回流架1、2、3------連接到上片平（píng）移台（如（rú）此循環工作）。

★該立式（shì）磁控鍍（dù）膜生產線的工作流程：現以7室6鎖為例。

在上片平移台處的工件架小車上掛上或貼上基片-----放（fàng）氣數秒並開真空（kōng）鎖1，工件架小車進入到前粗抽室（shì）後關真空鎖1並（bìng）抽真空、轟擊（有（yǒu）時需要充入氬氣）----當抽到真空度後打（dǎ）開真空鎖2後工件架進入（rù）前（qián）高真空室後關真空（kōng）鎖2繼續抽高真空-----達到一定真空後開鎖3並進入前過（guò）渡後（hòu）關真空鎖3、工件架慢速進入鍍膜室1、2、3進行（háng）磁控濺射鍍膜工作（鍍膜真空度在2×10-1Pa左右（yòu），按工藝（yì）而定）-----鍍膜（mó）結束後工走到過渡室-----開真空鎖4並進入後高真空室關真空鎖4後停留一定時間後（hòu）-----開真空鎖5並進入後粗抽室後關真（zhēn）空（kōng）鎖5、放氣數（shù）秒後開真空鎖6-----工件架進入到下片平移台（tái）並下片台-----下片結束後平移到回流架1，工（gōng）件架從回流架1、2、3------最後送回（huí）到上片平移台回架處（chù）-----平移台平移到前粗抽室前真空鎖1前麵停留（liú）等待上片（如此循環工作）。

★磁控濺射工（gōng）作原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的（de）過程（chéng）中與（yǔ）氬（氧、氮等）原子發生碰撞，電離出大量的氬（氧、氮等）離子和電子，電子（zǐ）飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原（yuán）子（或分子）沉積（jī）在基片上形成膜層。二（èr）次電子在加（jiā）速飛向基片的過程中受到（dào）磁場磁力的作用下，被束縛在靠近靶麵的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高（gāo），二（èr）次電（diàn）子（zǐ）在磁場的作用下圍繞靶麵（miàn）作圓周運動，該電子的運動路徑（jìng）很長（zhǎng），在運動過程中不斷的（de）與氬原子發生碰撞電離出大量（liàng）的氬離子轟擊靶材，經過多次碰撞後電子的能量逐漸降低，擺脫（tuō）磁力線的束縛，遠離靶材，最終沉積在基片（piàn）上。磁控濺射就（jiù）是以磁（cí）場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動（dòng）方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電（diàn）子的能量。磁控濺射的基本原理是利用 Ar一02或N2混合氣體（tǐ）中的等離子體在電場和交變磁場的作用下，被加速的（de）高能粒（lì）子轟擊靶（bǎ）材表麵，能量交換後，靶材表麵的原子脫離原晶（jīng）格而逸出，轉移到基體表麵而成膜。