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臥式(shì)磁控鍍(dù)鏡生產線

臥式磁(cí)控鍍鏡生產線

  • 所屬分類:臥式磁控(kòng)鍍膜生產線
  • 瀏覽次數:
  • 發布日期:2021-01-27 15:40:34
  • 產品概(gài)述
  • 性能特點(diǎn)
  • 技術參數

★該臥式磁控鍍膜生(shēng)產線可鍍的工藝膜係有:金膜、銀膜、鋁膜(mó)、鈦金膜、不鏽鋼膜等單質膜和氧化膜、複(fù)合膜、增透膜、增亮膜、光學膜、ITO導電膜、EMI屏蔽膜等等。設備能生產的產品有銀鏡、鋁鏡、彩色(sè)玻璃、工藝(yì)玻璃、光伏玻璃(lí)、光電玻璃(lí)、ITO導電(diàn)玻璃、非導玻(bō)璃等,以及PC、PVC、PET等材料表麵鍍ARAF、ITO、非導等膜和金屬單質膜等工藝。設備主要(yào)應用在手機鏡片和手機後蓋鍍膜、電子、電器、軍(jun1)工、家電、五金、玩具、汽(qì)車(chē)、建築、建材、燈飾、裝飾等眾多行業領域。本設(shè)備的(de)優點:抽速快及穩定、產量高、特殊的傳(chuán)動結構運(yùn)行(háng)平穩不卡頓(吸(xī)收進口設備(bèi)精華)。高真空部分可根據(jù)客(kè)戶實際(jì)需要全選擇油擴散泵或分子(zǐ)泵,或(huò)兩者搭配使用;設計有防返(fǎn)油機構,減少對產品的汙染;使(shǐ)用國內(nèi)或國(guó)外知名品牌(pái)真空泵機組,加上人性化結構設計(jì)理念和智(zhì)能控製及顯示(shì)係統,使設備盡善盡美。

臥式磁控鍍膜生產線

★工藝氣體(tǐ):氣、氧氣、氮氣等(děng),具(jù)體看生產的產品而定。

★靶材材質:金、銀、銅、鋁、鈦、鋯、矽、鎳(niè)、鉻、錫、銦、铌、不鏽鋼等或錫銦、矽鋁、鎳鉻等合金。

磁控濺射電源:直流電源、中頻電源、射頻電源(yuán)、離子轟擊電源、離子源電源(按客(kè)戶需要而定)

★該磁控鍍膜生產線的結構:有3室4鎖、5室4鎖、5室6鎖(suǒ)、7室6鎖(suǒ)、9室8鎖。

進片平台-----前粗(cū)抽室(進片室,粗(cū)抽真(zhēn)空泵機組)-----前高真空室(精抽真空泵(bèng)機組)-----前過渡室-----鍍膜室1、2、3(鍍膜(mó)室的個數按工藝而定,精抽真空泵機組、磁控濺射陰極靶、氣體係統)-----後過渡室-----後高真(zhēn)空室(精抽真空泵(bèng)機(jī)組(zǔ))-----後粗抽室(粗抽真空泵機組)-----出(chū)片平台(如此循(xún)環工作)。

★該磁(cí)控(kòng)鍍膜生產線的(de)工作流程:有3室4鎖、5室6鎖、7室(shì)6鎖、9室8鎖,現以7室6鎖為例。

玻璃從清洗機出來進入進片平台(tái)-----前粗抽室(shì)放氣數秒(miǎo)並開真空鎖(suǒ)1,玻璃進入前粗抽室到位後關真空鎖1並抽真空(如有轟擊開轟擊,有時需要充入氬氣)-----打開真空鎖2後玻璃進(jìn)入前高真(zhēn)空室後關真空鎖2繼續抽高真空-----達(dá)到一定真空後開鎖3並進入前過渡後關真空鎖3、工件架慢速進入(rù)鍍膜室1、2、3進行(háng)磁控濺射鍍膜(mó)工作(鍍膜真空度在2×10-1Pa左右,按工藝而定(dìng))-----鍍膜結束後到玻璃走到過渡室-----開真空鎖4並進入後高真空室關真空鎖4後停留一定時間後-----開(kāi)真空(kōng)鎖5並進入(rù)後粗抽室後關真空鎖5、放(fàng)氣(qì)數秒後開真空鎖6-----玻璃走到(dào)出片台後關(guān)閉真空鎖6-----直(zhí)接下片或走到下一個工序(如此循(xún)環(huán)工作)。

臥式磁控鍍膜生產線

磁控濺射工作原理:電子在電場的作用下加速飛向基片的(de)過程中與氬(氧、氮等)原子發生碰撞,電離出大量(liàng)的氬(氧、氮等)離(lí)子和電子,電子(zǐ)飛向基片。氬(yà)離子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上(shàng)形(xíng)成膜。二次電子在加速(sù)飛向基片的過程中受到磁場磁力的作用下,被束縛在(zài)靠近靶(bǎ)麵的等(děng)離子體區域內,該區(qū)域內等離子體密度很高,二次電子在磁場的作(zuò)用下圍繞(rào)靶麵作圓周運動,該電子的運動路徑很長,在運動過程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子(zǐ)轟擊靶材,經過多次(cì)碰撞後電(diàn)子的能(néng)量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠離靶(bǎ)材,最終沉積在(zài)基片上。磁控濺射就是以磁場束縛和(hé)延長電子的運動路徑,改變電子的運動方向,提高工(gōng)作氣體的電離(lí)率和有效利用電子的能量。磁(cí)控濺射的基(jī)本(běn)原理(lǐ)是利用 Ar一02或N2混(hún)合氣體中的等離子體在電場和交變磁場(chǎng)的作用下,被(bèi)加速的高能粒子轟擊靶材(cái)表麵,能量(liàng)交換後,靶材表麵的原子脫(tuō)離原晶格而逸出,轉移到基體表麵而成膜。

臥式磁控鍍膜生產線

臥式磁控鍍(dù)膜(mó)生產(chǎn)線

臥式磁控鍍膜(mó)生產(chǎn)線

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