電(diàn)子束鍍膜機的加熱蒸發(fā)源利用熱陰極發射電子,在電場的作用下成為高能量密度的電子束,直接撞(zhuàng)擊鍍層。電子束的動能轉化為熱能,使鍍層(céng)加熱蒸(zhēng)發,完成蒸(zhēng)發鍍層。
電子束加熱蒸發的(de)優(yōu)點:
1.電子束加熱比電阻加熱具有更高的通量密(mì)度,可以蒸發W、Mo、Al2O3等(děng)高熔點材料,蒸發速(sù)率更高;
2.蒸發(fā)材料放入水冷銅坩堝中,可避(bì)免坩堝(guō)材料汙染,製備高純薄膜;
3.電子束蒸發顆粒動能大,有利於獲得致密結合力好的膜層。
電子束加熱蒸發的缺點:
1.結構複雜,設備價格昂貴;
2.如果蒸發源附近的蒸汽密度高,電子(zǐ)束流和蒸汽(qì)顆粒會相互作用,電子通量會丟失,導致軌道偏移;同時(shí),蒸汽和(hé)殘留氣體的刺激和電離會影響膜(mó)質(zhì)量。
電子(zǐ)束加熱蒸發源的形式。
電子束蒸發源由電子槍和坩堝兩部分組(zǔ)成,有時還附有供(gòng)給(gěi)材料的機械。在很多情況(kuàng)下,產生和控製電子束的裝置(zhì)和坩堝設計(jì)成一體。電子束加熱蒸發源有以下結構形式
1.直線陰極和靜電聚焦蒸(zhēng)發器。
2.環形陰極和(hé)靜電聚焦蒸發器。
3.帶軸向槍和靜(jìng)電遠蒸發器(qì)。
4.帶軸向槍、磁聚焦、磁偏(piān)轉90度的蒸發器。
5.帶橫槍(qiāng)和磁偏轉90度的蒸發器。
6.帶環形陰極、靜電(diàn)聚焦和靜電偏轉的蒸發器(qì)。
7.E型電子槍蒸(zhēng)發器,E型電(diàn)子束蒸發源發射(shè)的電子軌跡類(lèi)似於e字,所以簡稱E型(xíng)槍。目前,這種蒸發源廣泛應用於真空蒸鍍工藝。
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